スカンジウム金属ターゲット

製品名: スカンジウムスパッタリングターゲット

製品愛称：スカンジウムターゲット、スカンジウムターゲットアセンブリ、Scターゲット

外観: シルバー

融点: 1541度

沸点：2836度

密度: 2.985 g/cm3

純度： Sc/TREM 99.99%以上 TREM 99.9%以上

Density: >99.5%

平均粒径:

指示粗さ：

仕様：平面ターゲット、円形ターゲット、回転ターゲット（サイズはお客様の要件に応じてカスタマイズ可能）

バインディング：インジウムろう付け（バインディング方法およびバックプレート材質はお客様に応じてカスタマイズ可能）

技術的特徴：超真空鋳造、ターゲット洗浄、プラスチック加工

 

 

スカンジウム スパッタリング ターゲットは、物理蒸着 (PVD) による金属スカンジウム薄膜の製造にとって重要な材料です。 スカンジウム ターゲット アセンブリは、スカンジウム ターゲット ブランクとバックプレートが半田付けされて構成されています。 スカンジウムターゲットブランクは、高速イオンビーム照射用のターゲット材であり、スパッタリングターゲットの核となる部分です。 スパッタリング コーティング プロセス中、スカンジウム ターゲット ブランクにイオンが衝突した後、その表面のスカンジウム原子がスパッタリングされて基板上に堆積されます。 その上に電子薄膜が作られます。 高純度のスカンジウム金属は柔らかいため、スパッタリングプロセスを完了するには、スパッタリングターゲットを専用の機械に取り付ける必要があります。 機械内部は高電圧、高真空の環境です。 したがって、スカンジウムターゲットブランクは、さまざまな溶接プロセスを通じてバックプレートに接合する必要があります。 バックプレートは主にスパッタリングターゲットを固定する役割を果たし、良​​好な電気伝導性と熱伝導性が必要であり、一般に銅で作られています。 一般的に使用される結合方法は、電子ビーム溶接、拡散溶接、インジウムろう付け、接着結合の 4 つです。 その中で、インジウムろう付け結合が最も広く使用されています。

 

スカンジウム金属膜は、現在非常に有望な半導体材料である AlScN 圧電膜の作製に使用できます。 AlScN 圧電膜材料には、高い音速、優れた熱安定性、広いバンドギャップなどの大きな利点があり、特に CMOS プロセスとの互換性があります。 同時に、窒化アルミニウム (AlN) 圧電膜の小さな圧電係数と電気機械結合係数を克服できます。 バルク弾性波 (BAW)、表面弾性波 (SAW)、エネルギーハーベスティング、超音波検出、および電界効果トランジスタにおいて重要な用途があります。 窒化アルミニウムに高含有量のスカンジウムをドープすることにより、高周波デバイスの圧電性能と電気機械結合係数を大幅に向上させることができます。 AlScN は、5G 無線周波数フロントエンド BAW (FBAR)/SAW フィルターの窒化アルミニウム材料を置き換えることができ、新世代パワーデバイスの分野で大きな応用の見通しを持っています。

 

In semiconductor chip coating, there are strict requirements on the purity and microstructure of the scandium target. If the impurity content is too high, the formed film will not be able to achieve the required electrical properties for use, and will easily form on the wafer during the sputtering process. Particles are formed on the film, causing short circuit or damage to the circuit, which will seriously affect the performance of the film. The scandium targets produced by HNRE use high-purity scandium raw material Sc/TREM>99.99%. After rolling porcess, the grain size is less than 500μm and the density is>99.5%。 多くの世界的に有名な半導体企業に供給されています。

 

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